特許

J-GLOBAL ID：200903005125966206

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 原田 裕次 ,  渡辺 淳 ,  畠山 潤 ,  河合 義夫 ,  笹子 勝 ,  遠藤 政孝 ,  岸村 眞治 ,  大谷 充孝 ,  宮澤 覚 ,  堤 憲太郎 ,  前田 一彦
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社 ,  セントラル硝子株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-050829
公開番号（公開出願番号）：特開2002-327013
出願日： 2002年02月27日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【解決手段】 式(1)の基を含有する高分子化合物。【化1】(R1〜R3はH、F又はアルキル基又はフッ素化されたアルキル基、R4及びR5はH又はF、R6及びR7はH、F又はアルキル基又はフッ素化されたアルキル基、R6及びR7のうち少なくとも一方は一個以上のFを含む。aは0又は1。)【効果】 本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、特に170nm以下の波長における感度が優れている上、レジストの透明性が向上し、優れたプラズマエッチング耐性を有する。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される基を含有することを特徴とする、重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物。【化1】(式中、R1〜R3は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R2及びR3は環を形成してもよく、その場合は酸素、硫黄、窒素等のヘテロ原子を含んでもよい炭素数1〜20のアルキレン基を表す。R4及びR5は水素原子又はフッ素原子である。R6及びR7は水素原子、フッ素原子又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R6及びR7のうち少なくとも一方は一個以上のフッ素原子を含む。R6とR7は環を形成してもよく、その場合は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキレン基又はフッ素化されたアルキレン基を表す。aは0又は1である。)

IPC (7件)：

C08F 20/22 ,  C08F 22/40 ,  C08F 32/00 ,  C08F 34/00 ,  C08G 61/12 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (7件)：

C08F 20/22 ,  C08F 22/40 ,  C08F 32/00 ,  C08F 34/00 ,  C08G 61/12 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (38件)：

2H025AA01 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB25 ,  2H025CB41 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025CC03 ,  2H025FA17 ,  4J032BA02 ,  4J032BA07 ,  4J032BB01 ,  4J032BB03 ,  4J032CA32 ,  4J032CA34 ,  4J032CB01 ,  4J032CB03 ,  4J032CC03 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BB07P ,  4J100BB17P ,  4J100BB18P ,  4J100BC03Q ,  4J100BC08P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12P ,  4J100BC53P ,  4J100BC53R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 感光性組成物、およびこれを用いたパターン形成方法ならびに電子部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-366051   出願人：株式会社東芝
• ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-338701   出願人：セントラル硝子株式会社