特許
J-GLOBAL ID：200903005154377783
シリコン単結晶の引き上げ方法および引き上げ装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-282407
公開番号（公開出願番号）：特開平11-116376
出願日： 1997年10月15日
公開日（公表日）： 1999年04月27日
要約：
【要約】【課題】 育成されるシリコン単結晶インゴットの大口径化・長尺化により引き上げ重量が増加しても、安定にかつ信頼性高く引き上げることが可能なシリコン単結晶引き上げ方法およびシリコン単結晶引き上げ装置を提供することを課題とするものである。【解決手段】 シリコン融液に種結晶を浸漬し、この種結晶を引き上げることにより種結晶後端部にシリコン単結晶インゴット(9)を育成させ、その後育成されるシリコン単結晶インゴットを機械的把持手段で把持して引き上げを行うシリコン単結晶の引き上げ方法であって、前記機械的把持を行う手段のインゴットとの当接部を、外力によって変形可能な枕様構造体(17)とする。把持の際にインゴットの表面の凹凸に沿って当接部が変形するため、インゴットに対して均一に接することができ、片当たり等による集中応力の発生等の不具合が生じることなく、負荷される押圧力を当接部全体に均一に分散させて、インゴットを把持することができる。
請求項（抜粋）：
シリコン融液に種結晶を浸漬し、この種結晶を引き上げることにより種結晶後端部にシリコン単結晶インゴットを育成させ、その後育成されるシリコン単結晶インゴットを機械的に把持して引き上げを行うシリコン単結晶の引き上げ方法であって、前記機械的把持を行う手段のインゴットとの当接部を機械的把持の際に加わる押圧力によって変形させ、シリコン単結晶インゴット表面に密接させて把持することを特徴とするシリコン単結晶の引き上げ方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 15/30
, H01L 21/208 P
