特許
J-GLOBAL ID：200903005155002414

強誘電体薄膜の製造方法

発明者：
山田 綾乃

山田 綾乃 について

, 
柴田 憲治

柴田 憲治 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-037357
公開番号（公開出願番号）：特開2006-228447
出願日： 2005年02月15日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：
【課題】スピンコート法、MOD法などの塗布法において、焼成工程における昇温速度を適切にして、クラックを発生させずに強誘電体薄膜を膜厚1μm以上成膜することを可能にする。【解決手段】基板1上に任意量の強誘電体原料溶液を塗布し乾燥する工程を1回又は複数回行い、得られた薄膜を600°C以上の加熱処理により焼成して薄膜を一度に結晶化する塗布法による強誘電体薄膜の製造方法において、上記600°C以上の加熱処理により焼成するときの加熱開始から600°Cに到達する間の昇温速度の平均を2.0°C/分以下に設定し、所望の厚さの強誘電体薄膜3が得られるまで、上記塗布・乾燥工程と結晶化の焼成工程を繰り返す。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に任意量の強誘電体原料溶液を塗布し乾燥する工程を1回又は複数回行い、得られた薄膜を600°C以上の加熱処理により焼成して薄膜を一度に結晶化する工程を含む塗布法による強誘電体薄膜の製造方法において、 上記600°C以上の加熱処理により焼成するときの加熱開始から600°Cに到達する間の昇温速度の平均を2.0°C/分以下に設定し、所望の厚さの強誘電体薄膜が得られるまで、上記塗布・乾燥工程と結晶化の焼成工程を繰り返すことを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。
IPC (6件)：
H01B 3/00 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24
FI (6件)：
H01B3/00 H ,  H01L27/10 444C ,  H01L41/18 101A ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/22 A
Fターム (19件)：
5F083FR01 ,  5F083GA27 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5G303AA10 ,  5G303BA03 ,  5G303CA01 ,  5G303CB15 ,  5G303CB25 ,  5G303CB35 ,  5G303CB39 ,  5G303DA02
引用特許：
出願人引用 (2件)

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