ゾルーゲル法による強誘電体膜の形成方法及びキャパシタの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐々木聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-113974
公開番号（公開出願番号）：特開平6-305714
出願日： 1993年04月16日
公開日（公表日）： 1994年11月01日
要約：

【要約】【構成】ゾルーゲル法によってPZT強誘電体膜7を形成するに際し、その膜厚を1000Åとなるように制御すること、或いは、原料溶液の乾燥温度を130〜200°Cの範囲に特定し、特に、ゾルーゲル原料に含まれる安定剤の沸点よりも低くかつゾルーゲル原料に含まれる溶媒の沸点よりも高く設定する方法。【効果】ペロブスカイト結晶が形成される温度で酸化焼結処理することによって、特に(100)結晶配向を示す薄膜を容易に形成することができる。また、完全にクラックフリーな膜を厚く形成できる。

請求項（抜粋）：

ゾルーゲル法によって強誘電体膜を形成するに際し、(a) 原料溶液を塗布する工程と;(b) この塗布された原料溶液を乾燥し、乾燥膜を形成する工程と;(c) この乾燥膜を焼結し、強誘電体膜化する工程と;を有し、前記焼結後の前記強誘電体膜の膜厚が1000Å以下となるように制御する、ゾルーゲル法による強誘電体膜の形成方法。

IPC (4件)：

C01B 13/32 , C04B 35/49 , H01B 3/00 , H01G 4/12 301

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平2-006335
特開平4-259380
特開平2-006334

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