特許
J-GLOBAL ID：200903005167175411
発光素子用エピタキシャルウエハおよび発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-120929
公開番号（公開出願番号）：特開2000-312028
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】【課題】 ウインドウ層から発光領域へのドーパントの拡散を抑制した発光素子用エピタキシャルウエハとこれを使用した発光素子を提供する。【解決手段】 n型GaAsの基板1の上にAlGaInPの発光層6を形成し、これにp型GaPのウインドウ層7を形成したエピタキシャルウエハにおいて、ウインドウ層7のドーパントとして炭素を使用する。
請求項（抜粋）：
n型導電性の基板の上に発光性のエピタキシャル層を成長させた発光素子用エピタキシャルウエハにおいて、(AlX Ga1-X )Y In1-Y P〔0≦X ≦1、0≦Y ≦1〕により表される化合物のエピタキシャル層から構成される発光層と、炭素によりドーピングされ、かつ前記発光層の表面に形成されたp型導電性エピタキシャル層によって構成されるウインドウ層を有することを特徴とする発光素子用エピタキシャルウエハ。
FI (2件)：
H01L 33/00 A
, H01L 33/00 L
5F041AA34
, 5F041AA44
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA36
, 5F041CA37
, 5F041CA38
, 5F041CA48
, 5F041CA49
, 5F041CA53
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA82
, 5F041CA92
, 5F041FF01
, 5F041FF16
