特許

J-GLOBAL ID：200903082967346111

半導体発光装置

発明者： 能登 宣彦 ,  安富 敬三 ,  竹中 卓夫
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-228286
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097467
出願日： 1994年09月22日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】 p型クラッド層のキャリア濃度を安定して制御可能とし、p型電流拡散層中のp型ドーパントであるZnの拡散によって起こるp型クラッド層/活性層の劣化及び活性層品質の劣化を防止し、これにより、発光強度の向上を可能とした半導体発光装置を提供する。【構成】 n型GaAs基板上に、AlGaInPダブルヘテロ接合構造からなる発光層部が形成され、該発光層部上にp型電流拡散層を形成してなる半導体発光装置において、上記p型電流拡散層がアンドープ電流拡散層と該アンドープ電流拡散層上に形成された高濃度ドープ電流拡散層とからなる。

請求項（抜粋）：

n型GaAs基板上に、AlGaInPダブルヘテロ接合構造からなる発光層部が形成され、該発光層部上にp型電流拡散層を形成してなる半導体発光装置において、上記p型電流拡散層が、アンドープ電流拡散層と該アンドープ電流拡散層上に形成された高濃度ドープ電流拡散層とからなることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-171679
  
• 発光ダイオードおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-136945   出願人：松下電子工業株式会社
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-139230   出願人：株式会社東芝