特許

J-GLOBAL ID：200903005168751998

半導体装置の製造方法

発明者： 金子 和功 ,  竹石 祐一 ,  渡辺 和幸
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-107827
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293715
出願日： 1996年04月26日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハのエッジ部に発生するSOG膜の隆起部を確実に除去する。【解決手段】 少なくとも半導体ウエハ1上にSOG膜形成用の塗布液を塗布する工程を有する半導体装置の製造方法において、回転テーブルをおよそ3000rpm乃至5000rpmの回転数で回転させながら前記半導体ウエハ1上にSOG膜2をスピンコートした後に、前記回転テーブルをおよそ500rpm乃至1000rpmの回転数で回転させながら半導体ウエハ1の裏面に設置されたバックリンスノズル4からバックリンス剤5を吐出することにより、前記半導体ウエハ1の表面エッジ部にバックリンス剤を回り込ませて、前記エッジ部のSOG膜2を除去するものである。

請求項（抜粋）：

少なくとも半導体ウエハ上に無機層間膜形成用の塗布液を塗布する工程を有する半導体装置の製造方法において、回転テーブルを所望回転数で回転させながら前記半導体ウエハ上に塗布液をスピンコートした後に、前記回転テーブルを少なくとも前記半導体ウエハの表面エッジ部にバックリンス剤が回り込み可能な回転数で回転させながら半導体ウエハの裏面に設置されたバックリンスノズルからバックリンス剤を吐出するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  B05D 1/40 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/31

FI (7件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 P ,  B05D 1/40 A ,  H01L 21/304 341 N ,  H01L 21/31 A ,  H01L 21/30 577 ,  H01L 21/306 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-333208   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平1-253920
  
• 半導体ウェハのレジスト塗布方法及び吸着治具
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-105008   出願人：富士電機株式会社