特許
J-GLOBAL ID：200903005192768010

ドライエッチング方法

発明者：
柳田 敏治

柳田 敏治 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-193574
公開番号（公開出願番号）：特開平10-041308
出願日： 1996年07月23日
公開日（公表日）： 1998年02月13日
要約：
【要約】【課題】 微細なデザインルールに基づいて設計された高集積度、高性能、高信頼性の何れの要求にも対応できるドライエッチング方法の提供。【解決手段】 基板上に形成されたAl系材料層7をH2 OまたはH2 O2 の何れか一方のものと、塩素系化合物とを混合したエッチングガスでエッチングする工程を有することを特徴とする。基板上に形成されたAl系材料層7をH2 OまたはH2 O2 の何れか一方のものと、塩素系化合物とを混合したエッチングガスでエッチングする工程と、エッチング工程後に基板を加熱するとともにフッ素系化合物を含有するガスを用いたプラズマ処理工程とを有することを特徴とする。【効果】 微細なデザインルールに基づいて設計され、高集積度、高性能、高信頼性の何れの要求にも対応できるドライエッチング方法を提供できる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたAl系材料層を、H2 OまたはH2 O2 の何れか一方のものと、塩素系化合物とを有するエッチングガスでエッチングする、エッチング工程を有することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3213 ,  H01L 21/3065
FI (2件)：
H01L 21/88 D ,  H01L 21/302 G
引用特許：
審査官引用 (4件)
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