特許

J-GLOBAL ID：200903005198254573

被処理体の酸化方法及び酸化装置

発明者： 長谷部 一秀 ,  佐藤 昌一 ,  梅澤 好太
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-128350
公開番号（公開出願番号）：特開2002-176052
出願日： 2001年04月25日
公開日（公表日）： 2002年06月21日
要約：

【要約】【課題】 酸化レートをある程度高く維持しつつ、酸化膜の面内均一性と膜質の特性を共に向上させることができる被処理体の酸化方法を提供する。【解決手段】 真空雰囲気下になされた処理容器8内にて所定の温度になされた被処理体Wの表面を酸化する酸化方法において、水酸基活性種と酸素活性種とを主体として用いることにより酸化を行なう。これにより、酸化レートをある程度高く維持しつつ、酸化膜の面内均一性と膜質の特性を共に向上させる。

請求項（抜粋）：

処理容器内にて所定の温度になされた被処理体の表面を酸化する酸化方法において、真空雰囲気下にて水酸基活性種と酸素活性種とを主体として用いることにより前記酸化を行なうようにしたことを特徴とする被処理体の酸化方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/31 E

Fターム (28件)：

5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB16 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F058BC02 ,  5F058BF54 ,  5F058BF55 ,  5F058BF56 ,  5F058BF60 ,  5F058BF63 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 成膜方法、成膜装置、半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-142137   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 半導体のウェハ上に酸化物層を形成するための方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-359806   出願人：エイエスエムインターナショナルエヌ.ヴィ.

審査官引用 (1件)

• 成膜方法、成膜装置、半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-142137   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド