成膜方法、成膜装置、半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-142137
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274154
出願日： 2000年05月15日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】被処理基体への薄膜の成膜において、十分な膜厚の再現性及び均一性並びに十分に大きな成膜速度を達成でき、しかも、装置構成の簡略化を図ることが可能な成膜方法及び装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の熱処理装置1は、SiウエハW上にSiO2薄膜を形成させるものあって、SiウエハWの周囲を減圧する反応ガス排出系15と、SiウエハW上に水素ガスGhと酸素ガスGoとが混合されるように両者を供給する反応ガス供給系14と、SiウエハWを加熱するランプ群9G及びウエハ支持部材3を有するチャンバ2とを備え、SiウエハWをチャンバ2内に収容し、チャンバ2内を減圧し、ウエハ支持部材3にSiウエハWを設置し、水素ガスGh及び酸素ガスGoが混合された反応ガスXをチャンバ2内の空間Sbに供給して流通させ、SiウエハWをランプ群9Gにより加熱する。

請求項（抜粋）：

被処理基体上に薄膜を形成する成膜方法であって、前記被処理基体の周囲を減圧する減圧工程と、前記被処理基体を加熱する加熱工程と、前記被処理基体上に、第1のガスと、該第1のガスとの反応によりエネルギーを放出可能な第2のガスとを混合するように供給する反応ガス供給工程と、を備えることを特徴とする成膜方法。

IPC (7件)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , C23C 16/46

FI (5件)：

H01L 21/316 S , H01L 21/31 E , C23C 16/46 , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Fターム (73件)：

4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030DA03 , 4K030FA10 , 4K030KA22 , 5F001AA01 , 5F001AA43 , 5F001AA63 , 5F001AB08 , 5F001AD12 , 5F001AD16 , 5F001AD19 , 5F001AF07 , 5F001AG21 , 5F001AG22 , 5F045AA20 , 5F045AB32 , 5F045AC11 , 5F045AD12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AF03 , 5F045BB02 , 5F045BB08 , 5F045BB09 , 5F045DP04 , 5F045EB02 , 5F045EE04 , 5F045EE05 , 5F045EE08 , 5F045EE12 , 5F045EE18 , 5F045EF13 , 5F045EK12 , 5F045GB05 , 5F058BA20 , 5F058BB06 , 5F058BC02 , 5F058BF37 , 5F058BF62 , 5F058BF63 , 5F058BF80 , 5F058BJ01 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP55 , 5F083EP56 , 5F083EP57 , 5F083EP62 , 5F083EP67 , 5F083GA21 , 5F083GA27 , 5F083JA04 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA53 , 5F083NA02 , 5F083PR12 , 5F083PR21 , 5F083PR29 , 5F083PR40 , 5F101BA01 , 5F101BA36 , 5F101BB05 , 5F101BD02 , 5F101BD06 , 5F101BD10 , 5F101BF03 , 5F101BH02 , 5F101BH04

引用特許：

審査官引用 (2件)

ポリ間複合体とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-247455 出願人：旺宏電子股ふん有限公司
フレ-ムフリ-湿式酸化
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-008156 出願人：エルエスアイロジックコーポレーション

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