特許
J-GLOBAL ID：200903069160673864
半導体のウェハ上に酸化物層を形成するための方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-359806
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223213
出願日： 2000年11月27日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】水蒸気を用いて、半導体に酸化層を形成するに際し、酸素、及び水素による爆発を回避する安全な処理方法と装置を提供する。【解決手段】水蒸気を形成するために、水素を含む第1のガスが、酸素を含む第2のガスと混合され、前記第1のガスにおける水素濃度および/または前記第2のガスにおける酸素濃度および/または前記第1および第2のガスの流速の比率が、前記第1および第2のガスの混合のあいだに、それらから形成される第3のガス混合物の爆発が回避されるようにすることを特徴とする方法及びウェハ処理炉。
請求項（抜粋）：
半導体の材料から製造される多数のウェハ上に、水蒸気を用いて、酸化層を形成するために、多数のウェハが積層配置され、実質的に大気圧が支配し、かつ前記ウェハが、少なくとも炉壁の加熱によって加熱されて、しばらくのあいだその温度に保持される垂直処理チャンバ内に導入される方法であって、水蒸気を形成するために、水素を含む第1のガスが、酸素を含む第2のガスと混合され、前記第1のガスにおける水素濃度および/または前記第2のガスにおける酸素濃度および/または前記第1および第2のガスの流速の比率が、前記第1および第2のガスの混合のあいだに、酸素と水素とのあいだの反応が、低濃度であるために自動的に増殖せず、それらから形成される第3のガス混合物の爆発が回避されると同時に、水蒸気が触媒の使用なしに形成されるようにすることを特徴とする方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316
, C23C 16/40
, C23C 16/448
, C23C 16/52
, H01L 21/31
H01L 21/316 S
, C23C 16/40
, C23C 16/448
, C23C 16/52
, H01L 21/31 E
