特許
J-GLOBAL ID：200903005277238222

リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

発明者：
スティーブン ジョージ ハンセン

スティーブン ジョージ ハンセン について


出願人/特許権者：
エイエスエムエル ネザランドズ ベスローテン フエンノートシャップ

エイエスエムエル ネザランドズ ベスローテン フエンノートシャップ について


代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  森 徹 ,  吉田 裕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-296114
公開番号（公開出願番号）：特開2006-114901
出願日： 2005年10月11日
公開日（公表日）： 2006年04月27日
要約：
【課題】本発明はリソグラフィ装置において、さまざまなピッチ範囲のマスク・パターンの像を基板上へ伝える方法を提供する。さらに詳しくは、稠密、準稠密および疎らな範囲にわたるピッチ全般に対して、良好なパターン形成像の伝達を可能に改良に関する。【解決手段】本発明の一実施例によれば、軸線上の要素および非軸線上の要素を含む多極照射を構成するための照射形状を使用して減衰位相シフト・マスクのマスク・パターンを照射し、その照射されたマスク・パターンの像を基板上へ投影する段階を含む。マスク・パターンは、その最小ピッチの2倍を超えるピッチに対して、プリントされない補助造作を形成される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
軸線上の要素および非軸線上の要素を含む多極照射を使用して減衰移送シフト・マスクのマスク・パターンを照射することを含み、マスク・パターンはその最小ピッチの2倍よりも大きいピッチのためにプリントされない補助造作を形成されるようになされており、さらに、 照射したマスク・パターンの像を基板上に投影することを含む、ピッチ全般にわたりマスク・パターンの像を基板上に伝える方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/08
FI (3件)：
H01L21/30 514C ,  G03F1/08 D ,  H01L21/30 515D
Fターム (10件)：
2H095BA02 ,  2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  2H095BC24 ,  5F046BA04 ,  5F046BA05 ,  5F046CB05 ,  5F046CB17 ,  5F046CB23 ,  5F046DA01
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM