特許
J-GLOBAL ID:200903011732066460
投影露光装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-186673
公開番号(公開出願番号):特開平5-326370
出願日: 1992年07月14日
公開日(公表日): 1993年12月10日
要約:
【要約】【目的】 L/Sパターンのサイズが大きい場合にあっても焦点深度を十分大きくすることができ、露光精度の向上をはかり得る投影露光装置を提供すること。【構成】 マスクのパターンを投影光学系を介してウェハ上に投影露光する投影露光装置において、マスク8を照明する2次光源として、該光源の射出面内強度分布を光軸に対して4回対称で且つ光軸から外れた4つの領域にて強度大とせしめる特殊絞り9′(4つ目フィルタ20)を設け、マスク8として、透光性基板上に半透明膜のパターンが形成され、該半透明膜を通過する光の透光性基板を通過する光に対する位相差が、180×(2n+1)±30(度):nは整数、の関係を満たし、且つ半透明膜の振幅透過率Tが透光性基板の振幅透過率T0 に対して0.01×T0 ≦T≦0.30×T0 、の関係を満たすハーフトーンマスクを用いたことを特徴とする。
請求項(抜粋):
マスクのパターンを投影光学系を介してウェハ上に投影露光する投影露光装置において、前記マスクを照明する光源として、該光源の射出面内強度分布を光軸に対して4回対称で且つ光軸から外れた4つの領域にて強度大とせしめ、前記マスクとして、透光性基板上に半透明膜のパターンが形成され、該半透明膜を通過する光の透光性基板を通過する光に対する位相差が、180×(2n+1)±30(度):nは整数、の関係を満たし、且つ半透明膜の振幅透過率Tが透光性基板の振幅透過率T0 に対して0.01×T0 ≦T≦0.30×T0を満たすものを用いたことを特徴とする投影露光装置。
FI (2件):
H01L 21/30 311 L
, H01L 21/30 311 W
引用特許:
出願人引用 (11件)
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特開昭61-091662
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特開平3-011345
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特許第4890309号
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特開平4-076551
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特開平2-140743
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露光方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-227121
出願人:株式会社ニコン
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特開平4-267515
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特開平3-027516
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パターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-346042
出願人:株式会社東芝
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投影露光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-007835
出願人:株式会社東芝
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像投影方法及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-225225
出願人:キヤノン株式会社
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審査官引用 (9件)
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特開昭61-091662
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特開平3-011345
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特開平4-076551
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特開平2-140743
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露光方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-227121
出願人:株式会社ニコン
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特開平4-267515
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特開平3-027516
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パターン形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-346042
出願人:株式会社東芝
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投影露光装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-007835
出願人:株式会社東芝
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