特許
J-GLOBAL ID：200903005296992230
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-248277
公開番号（公開出願番号）：特開2006-065973
出願日： 2004年08月27日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：
【課題】 一定範囲の初期設定データの消失を防止して初期設定データの書き換えを可能とした不揮発性半導体記憶装置を提供する。 【解決手段】 不揮発性半導体記憶装置は、電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列され、書き換えが許容される第1の初期設定データと書き換えが禁止される第2の初期設定データとを記憶するメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイのデータ読み出しを行うセンスアンプ回路と、前記メモリセルアレイから前記センスアンプ回路に読み出された第1及び第2の初期設定データが転送保持されて、メモリ動作条件を規定する働きをする初期設定データレジスタとを有する。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列され、書き換えが許容される第1の初期設定データと書き換えが禁止される第2の初期設定データとを記憶するメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイのデータ読み出しを行うセンスアンプ回路と、
前記メモリセルアレイから前記センスアンプ回路に読み出された第1及び第2の初期設定データが転送保持されて、メモリ動作条件を規定する働きをする初期設定データレジスタとを有する
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G11C17/00 601P
, G11C17/00 601E
, G11C17/00 601T
, G11C17/00 631
5B125BA01
, 5B125CA08
, 5B125CA23
, 5B125DD04
, 5B125DE09
, 5B125DE13
, 5B125EA05
, 5B125EA08
, 5B125ED07
, 5B125FA01
, 5B125FA04
