特許
J-GLOBAL ID：200903066461385970
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-351396
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176290
出願日： 1999年12月10日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：
【要約】【課題】 簡単な回路構成で検証や修正が容易な初期設定データ記憶を可能とした不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列されたメモリセルアレイ1、メモリセルアレイ1のメモリセル選択を行うデコード回路4,7と、メモリセルアレイ1のデータを検知増幅するセンスアンプ回路5、メモリセルアレイ1のデータ書き込み、消去の動作を制御する制御回路11を有し、メモリセルアレイ1には、初期設定データが書き込まれる初期設定データ領域3が設定されている。この初期設定データ領域3から読み出された初期設定データが転送保持される初期設定データラッチ回路13,15が設けられ、制御回路11は、モリセルアレイ1の初期設定データを読み出して期設定データラッチ回路13,15に転送して保持させる初期設定動作を制御する。
請求項（抜粋）：
電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列され、メモリ動作条件を決定する初期設定データが書き込まれる初期設定データ領域が設定されたメモリセルアレイと、アドレス信号により前記メモリセルアレイのメモリセル選択を行うデコード回路と、前記メモリセルアレイのデータを検知増幅するセンスアンプ回路と、前記メモリセルアレイの初期設定データが読み出されて転送保持される初期設定データラッチ回路と、前記メモリセルアレイのデータ書き込み及び消去の動作を制御すると共に、前記メモリセルアレイの初期設定データを読み出して前初期設定データラッチ回路に転送して保持させる初期設定動作を制御する制御回路と、を備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 29/00 603
, G11C 16/06
G11C 29/00 603 J
, G11C 17/00 639 B
5B025AA03
, 5B025AB01
, 5B025AC01
, 5B025AD01
, 5B025AD04
, 5B025AD06
, 5B025AD08
, 5B025AD13
, 5B025AD16
, 5B025AE00
, 5B025AE09
, 5L106AA10
, 5L106CC09
, 5L106CC17
, 5L106CC22
, 5L106DD12
, 5L106GG01
, 5L106GG07
