特許

J-GLOBAL ID：200903005298098684

金属酸化物による構造体

発明者： 斉藤 秀俊 ,  植田 致知 ,  中沢 桂一 ,  木下 秀雄
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社 ,  斎藤 秀俊
代理人 (1件)： 清水 猛 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-290079
公開番号（公開出願番号）：特開2000-103700
出願日： 1998年09月29日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【解決手段】 断面の円換算径が0.01〜10000μmで、かつ断面の円換算径に対する長さの比が1以上である金属酸化物の突起物を有する金属酸化物からなる基材と励起源とからなる構造体であり、好ましくは、突起物が、基材上の10μm×10μmの面積当たり0.01〜10000個の密度で存在する構造体。【効果】 本発明の構造体は、発光素子、特にレーザー発振素子用途に好ましく用いられる。

請求項（抜粋）：

(イ)断面の円換算径0.01〜10000μmであり、かつ断面の円換算径に対する長さの比が1以上である金属酸化物の突起物を有する金属酸化物からなる基材と(ロ)励起源とからなる構造体。

IPC (3件)：

C30B 29/62 ,  H01S 3/06 ,  H01S 3/16

FI (3件)：

C30B 29/62 A ,  H01S 3/06 ,  H01S 3/16

Fターム (17件)：

4G077AA01 ,  4G077AA10 ,  4G077AB02 ,  4G077BB01 ,  4G077BB02 ,  4G077BB03 ,  4G077BB04 ,  4G077BB05 ,  4G077BB06 ,  4G077BB07 ,  4G077BB08 ,  4G077BB09 ,  4G077BB10 ,  4G077DB02 ,  4G077HA02 ,  5F072AB20 ,  5F072AK03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 光半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-068978   出願人：科学技術振興事業団
• 特開平4-087233
  
• 電界放出カソードおよびこれに基くデバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-505684   出願人：ギヴァルギゾフ,エフゲニー・インヴィエヴィチ, ジルノフ,ヴィクトル・ウラジミロヴィチ, ステパノヴァ,アラ・ニコラエフナ, オボレンスカヤ,リジヤ・ニコラエフナ
• 特開平4-044640
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 大気圧CVDによるZnO膜のヘテロエピタキシー