半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-072062
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275463
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】低歪、低雑音のMESFETを実現する。【構成】ストライプチャネル構造を有するFETの活性層内の凹部111とゲート金属 201までの距離Ld,Lsを1μm以下の小さい値とすることにより、ドレイン抵抗及びソース抵抗を低減し、利得及び雑音指数を改善することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基体上に不純物を含む活性層を有し、ソース電極とドレイン電極の間の活性層表面にショットキ・バリア・ゲート(以後単にゲートと呼ぶ)が配置された電界効果トランジスタ(以後FETと呼ぶ)において、前記ゲート電極下部の前記活性層に、前記活性層厚より深い凹部を前記ゲート長尺方向に複数個設け、前記活性層の前記ゲート電極下の部分が前記ゲート電極の長尺方向に1μm以下の幅を有する細線化された活性層(以後ストライプチャネルと呼ぶ)を形成し、前記活性層内の前記凹部のドレイン側もしくはソース側の前記ゲート電極から最も離れた点が、前記ゲート電極と前記ドレイン電極の間もしくは前記ゲート電極と前記ソース電極との間にあることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-238176
特開平3-191534
特開平3-225874

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