特許
J-GLOBAL ID：200903005313100941

微細レジストパターンの形成方法、および半導体装置の製造方法

発明者：
渡辺 学

渡辺 学 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

株式会社半導体先端テクノロジーズ について


代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  谷田 拓男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-245173
公開番号（公開出願番号）：特開2004-085792
出願日： 2002年08月26日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
【課題】レジスト間に存在する液体の凝集力に起因するレジスト倒壊を防止し、高アスペクト比の微細レジストパターンを形成する。【解決手段】先ず、下地膜1上にレジスト2を形成する。次に、レジスト2に対して露光処理を行う。そして、レジスト2に対して、このレジスト2が吸収性の高い波長の光6を照射して、レジスト2の表層に架橋部7を形成する。架橋部7を形成した後、現像処理を行う。現像処理が終了した後、架橋部7を酸素系プラズマ処理により除去する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
下地膜上にレジストを形成する工程と、 前記レジストに対して露光処理を行う工程と、 前記レジストの表層に架橋部を形成する架橋部形成工程と、 前記架橋部形成工程の終了後に、現像処理を行う現像工程と、 前記現像工程の終了後に、前記架橋部を除去する工程と、 を含むことを特徴とする微細レジストパターンの形成方法。
IPC (2件)：
G03F7/38 ,  H01L21/027
FI (2件)：
G03F7/38 511 ,  H01L21/30 568
Fターム (4件)：
2H096AA25 ,  2H096FA02 ,  5F046LA18 ,  5F046MA12
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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