特許

J-GLOBAL ID：200903032958326208

金属配線の形成方法

発明者： 山本 明広 ,  二河 秀夫
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286226
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110895
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 レジストのアッシング時に銅を含む金属配線の酸化を防止できるようにすること、レジストアッシングのスループットを向上させること、また、露出した金属配線の酸化や腐食の進行を防止できるようにする。【解決手段】 レジストアッシング工程において、開口部14bが形成された基板11をアッシング装置のアッシング室に投入する。アッシング条件は、基板温度を約100°Cとし、チャンバ圧力を約200Paとし、酸素ガスの流量を約1.0slmとし、放電時間を約9分間とする。プラズマ発生源にはマイクロ波電源を用い、その電力は約1000Wとしている。この条件下で、レジストパターン14に対してアッシングを行なうと、銅配線13における開口部12aに露出する露出部分には従来のような酸化銅層が形成されることがなく、銅配線13を確実に露出させることができる。

請求項（抜粋）：

基板上に銅を含む金属配線を形成する金属配線形成工程と、前記基板上に前記金属配線を覆う絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜上に、前記金属配線の上方の領域に開口部を有するレジストパターンを形成し、形成したレジストパターンをマスクとして、前記絶縁膜に対してドライエッチングを行なうことにより、前記開口部に前記金属配線を露出させる金属配線露出工程と、基板温度を約120°C以下に保持するアッシングにより前記レジストパターンを除去するレジストアッシング工程とを備えていることを特徴とする金属配線の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 H

Fターム (48件)：

4M104BB04 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD22 ,  4M104HH15 ,  5F004AA06 ,  5F004AA08 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB29 ,  5F004BD01 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004DB26 ,  5F004DB27 ,  5F004EA10 ,  5F004EA13 ,  5F004EA29 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ95 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02 ,  5F033WW03 ,  5F033WW06 ,  5F033WW10 ,  5F033XX18 ,  5F033XX20 ,  5F046MA12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-019244   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-199639   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-236357   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭58-220429