特許
J-GLOBAL ID：200903005336582196
半導体製造方法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-101318
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294305
出願日： 1997年04月18日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【課題】プラズマ密度の分布状況によってはエッチング速度が大きくばらつき、エッチング速度の速い領域からの発光の変化を捉えて終点判定を行う可能性があり、その場合はエッチング速度の遅い領域において膜残りが生じてしまうという課題があった。【解決手段】ウェハ上の任意の1点もしくは複数点でのプラズマ発光をほぼ同時に計測し、その中からエッチング反応をより正確に反映した位置での検出信号を選択し、終点判定を実行する。
請求項（抜粋）：
被処理体にプラズマを用いた処理を施す際に、前記プラズマ中において特定波長で発光する活性種の発光強度を前記被処理体上の少なくとも1点においてほぼ同時に検出し、該複数点での該発光強度の時間変化をほぼ同時に観測することを特徴とする半導体製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, G01N 21/68
H01L 21/302 E
, G01N 21/68
