特許
J-GLOBAL ID：200903005376027896

半導体発光デバイス用の実装

発明者：
ジェローム シー バット

ジェローム シー バット について

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クレセント エス エルペッズ

クレセント エス エルペッズ について

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ポール エス マーティン

ポール エス マーティン について

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サージ エル ルーダ

サージ エル ルーダ について


出願人/特許権者：
ルミレッズ ライティング ユーエス リミテッドライアビリティ カンパニー

ルミレッズ ライティング ユーエス リミテッドライアビリティ カンパニー について


代理人 (4件)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  今城 俊夫 ,  西島 孝喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-218432
公開番号（公開出願番号）：特開2005-057265
出願日： 2004年07月27日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：
【課題】 本発明は、発光ダイオードなどのフリップチップ・アーキテクチャ半導体発光デバイスの実装に関する。【解決手段】 デバイスは、サブマウントと、該サブマウントの第1の面上の第1及び第2の導電領域上にフリップチップ・アーキテクチャ構成の状態で実装される半導体発光デバイスとを含む。サブマウントは、該サブマウントの第2の側に第3及び第4の導電領域を有する。第3及び第4の導電領域は、ワイヤボンドを使用することなく、基板などの構造体にサブマウントをハンダ付するために使用することができる。第1及び第3の導電領域は、第1の導電層によって電気的に接続され、第2及び第4の導電領域は、第2の導電層によって電気的に接続される。第1及び第2の導電層は、サブマウントの外側上に配置することができ、又はサブマウント内部に配置することができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体発光デバイスとサブマウントとを備えるデバイスであって、 前記半導体発光デバイスが、 n型層と、 p型層と、 前記n型層と前記p型層との間に配置される活性領域と、 前記n型層に電気的に接続されるn-コンタクトと、 前記p型層に電気的に接続され、前記n-コンタクトが形成される前記半導体発光デバイスの側と同じ側に形成されるp-コンタクトと、 を備え、 前記サブマウントが、前記サブマウントの第1の側の第1及び第2の導電領域と、前記サブマウントの第2の側の第3及び第4の導電領域とを備え、 前記半導体発光デバイスのn-コンタクト及びp-コンタクトが、フリップチップ構成の状態で、前記サブマウントの第1及び第2の導電領域に電気的及び物理的に接続されることを特徴とするデバイス。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (7件)：
5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA34 ,  5F041DA36 ,  5F041DB09
引用特許：
出願人引用 (10件)
  • 米国特許第6,150,197号公報
  • 米国特許第6,114,716号公報
  • 米国特許出願200300085416公報
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審査官引用 (1件)

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