特許
J-GLOBAL ID：200903005378210540

イオン注入方法及びSOIウエハの製造方法

発明者：
伊藤 裕之

伊藤 裕之 について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一 ,  鈴木 康仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-206038
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047378
出願日： 2002年07月15日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】半導体基板への水素イオンの注入速度を飛躍的に増大させることが可能なイオン注入方法、並びにSOIウエハの製造効率が十分に高いSOIウエハの製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の所定深さに水素イオンを注入する際に、内部が減圧されており且つ所定磁場が形成された容器37内に水素ガスを導入し、磁場内にマイクロ波MWを導入してプラズマを生成させ、このプラズマ中から水素分子イオンを含む水素イオンビームIBを引き出し、水素分子イオンを半導体基板に照射して注入する。これにより、水素イオン注入におけるスループットが向上し、SOIウエハの製造効率を高めることができる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板の所定深さに水素イオンを注入する方法であって、内部が減圧されており且つ所定磁場が形成された容器内に水素ガスを導入し、前記磁場内にマイクロ波を導入してプラズマを生成させ、このプラズマ中から水素分子イオンを含む水素イオンビームを引き出し、前記水素分子イオンを前記半導体基板に照射することを特徴とするイオン注入方法。
IPC (9件)：
H01J27/16 ,  C23C14/32 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L27/12
FI (9件)：
H01J27/16 ,  C23C14/32 A ,  H01J37/08 ,  H01J37/317 Z ,  H01L21/02 B ,  H01L21/265 603A ,  H01L27/12 B ,  H01L21/76 D ,  H01L21/76 R
Fターム (12件)：
4K029AA06 ,  4K029CA10 ,  4K029DE02 ,  5C030DE08 ,  5C030DE10 ,  5C034CC07 ,  5F032AA06 ,  5F032AA91 ,  5F032DA21 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA60
引用特許：
審査官引用 (3件)

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