特許
J-GLOBAL ID：200903005388540025
酸素負イオンビーム注入方法及び注入装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-163521
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354067
出願日： 1998年06月11日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 Si、SiGe、GaAsなどの半導体、PZTなどの絶縁体、金属基板に一定深さに酸素イオンを注入し酸化層を設ける場合、質量分離マグネットなどが不要で走査機構も不要な酸素イオン注入方法を提供すること。【解決手段】 Si、SiGe、GaAs、PZT、金属などの対象物基板を酸素プラズマ室の内部に入れ、酸素プラズマと接触させ、対象物基板に正のバイアス電圧をパルス的に印加して、プラズマ中の酸素負イオンO-を基板に注入する。
請求項（抜粋）：
半導体基板、絶縁体基板或いは金属基板に酸素イオンを注入し所定の深さに酸化層を形成する方法であって、プラズマ室にプラズマ生成手段によって酸素を含むプラズマを発生し、基板直径より広い範囲の孔分布を有する複数枚の多孔電極板からなる引出電極系によってプラズマから酸素負イオンビームを引き出し、半導体基板、絶縁体基板或いは金属基板に酸素負イオンを所定の深さまで注入する事を特徴とする酸素負イオンビーム注入方法。
IPC (5件)：
H01J 37/317
, H01J 27/02
, H01J 37/08
, H01L 21/265
, H01L 27/12
H01J 37/317 Z
, H01J 27/02
, H01J 37/08
, H01L 27/12 B
, H01L 21/265 J
, H01L 21/265 F
, H01L 21/265 Z
