半導体発光装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-089951
公開番号（公開出願番号）：特開平11-289110
出願日： 1998年04月02日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】【課題】フリップチップ型の半導体発光装置において主光取出し面側以外に漏れ出る光を効率よく反射させて発光輝度を向上させる。【解決手段】静電気保護用のツェナーダイオード7をリードフレーム6のマウント部6aに搭載し、フリップチップ型の発光素子1をツェナーダイオード7の上面にp側及びn側の電極を導通させて搭載し、発光素子1の搭載面側と反対側を主光取出し面とし、その上面がツェナーダイオード7の上端よりも上側で且つ発光素子1の発光層よりも下側に位置する光反射型の樹脂モールド10をマウント部6a内に充填し、発光層からの光を樹脂モールド10により主光取出し面方向に反射させる。

請求項（抜粋）：

静電気保護素子をリードフレームのマウント部に搭載し、フリップチップ型の半導体発光素子を前記静電気保護素子の上面にp側及びn側の電極を導通させて搭載し、前記半導体発光素子の搭載面側と反対側を主光取出し面とした半導体発光装置において、その上面が前記静電気保護素子の上端よりも上側で且つ前記半導体発光素子の発光層よりも下側に位置する光反射型の樹脂モールドを前記マウント部内に充填してなる半導体発光装置。

FI (2件)：

H01L 33/00 N , H01L 33/00 C

引用特許：

出願人引用 (7件)

半導体発光素子、およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-194224 出願人：ローム株式会社
3族窒化物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-328011 出願人：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
特開昭62-045193

全件表示

前のページに戻る