半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-176465
公開番号（公開出願番号）：特開2002-367365
出願日： 2001年06月12日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】MTJ素子の磁気抵抗の変化を利用して情報を記憶するメモリセルを用いたMRAMにおいて、読み出し動作を高S/N化する。【解決手段】メモリセルを、MTJ素子MTJとバイポーラトランジスタQMCを含んで構成する。読み出し動作は、ワード線WLを選択することによりMTJ素子を流れる電流IWLをバイポーラトランジスタにより電流増幅して読み出しデータ線DRに出力することにより行う。【効果】高S/Nな読み出し動作が可能になり、高速、高集積、高信頼なMRAM及びMRAMを有する半導体装置を実現することができる。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルと前記複数のメモリセルを選択する複数のワード線と、前記複数のワード線と直交するように配置され、前記複数のメモリセルから信号が読み出される複数のデータ線とを有し、前記複数のメモリセルの各々は、磁気抵抗素子と、バイポーラトランジスタとを含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

G11C 11/15 , G11C 11/14 , H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/15 , G11C 11/14 A , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

Fターム (4件)：

5F083FZ10 , 5F083LA01 , 5F083LA03 , 5F083ZA28

引用特許：

出願人引用 (2件)

マグネチックラム及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-138288 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター
磁気記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-248159 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

マグネチックラム及びその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-138288 出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター

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