特許
J-GLOBAL ID：200903053083391954
マグネチックラム及びその形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-138288
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031776
出願日： 2002年05月14日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】【課題】 ゲート酸化膜なしに半導体基板とワードラインの間にMTJセルを形成し、ビットラインのコンタクト工程を容易にし、素子の生産性及び特性を向上させることができるマグネチックラム及びその形成方法を提供する。【解決手段】 本発明はマグネチックラム(MRAM)に関し、バイポーラ接合トランジスタのベースの役割を果たす半導体基板と、前記半導体基板の活性領域に備えられるバイポーラ接合トランジスタのエミッター及びコクターと、前記エミッターとコレクターの間に一定距離隔離された活性領域に備えられるMTJセルと、前記MTJセルの上部に備えられるワードラインと、前記コレクターに接続されるビットラインと、前記エミッターに接続される基準電圧線とを含むMRAMを形成してその構成及び形成工程を単純化することにより、素子の生産性及び特性を向上させることができる技術である。
請求項（抜粋）：
バイポーラ接合トランジスタを利用したマグネチックラムにおいて、半導体基板とビットライン、ワードライン、電気又は磁気信号によりその抵抗が変化する磁気抵抗素子、及びバイポーラ接合トランジスタで構成されていることを特徴とするマグネチックラム。
IPC (3件)：
H01L 27/105
, G11C 11/15 110
, H01L 43/08
G11C 11/15 110
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
5F083FZ10
, 5F083KA01
, 5F083KA05
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
