特許
J-GLOBAL ID：200903005473063791

マイクロプローブ並びにその製造装置及び方法

発明者：
角田 直人

角田 直人 について

, 
奥山 直樹

奥山 直樹 について

, 
渡邊 まゆ

渡邊 まゆ について

, 
山田 幸生

山田 幸生 について


出願人/特許権者：
国立大学法人 電気通信大学

国立大学法人 電気通信大学 について


代理人 (1件)： 田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-041142
公開番号（公開出願番号）：特開2005-233960
出願日： 2005年02月17日
公開日（公表日）： 2005年09月02日
要約：
【課題】 表面に有用な保護層をもったマイクロプローブを実現する。【解決手段】 プローブ芯材の表面に、炭化水素ガスをソースガスとして用いた高周波プラズマ化学気相析出法によって水素含有アモルファス状炭素(DLC)膜層を形成することにより、電気絶縁性、かつ高硬度性をもった均一な厚さの保護膜層を形成してなるマイクロプローブを実現できる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
先端にテーパ部を有しかつ針形状のガラス材上に第1の金属膜層を形成してなる第1のプローブ芯材の表面に、炭化水素ガスをソースガスとして用いた高周波プラズマ化学気相析出法によって第1の水素含有アモルファス状炭素膜層を形成した ことを特徴とするマイクロプローブ。
IPC (5件)：
G01N1/00 ,  B01J3/00 ,  B01J19/08 ,  G01N27/30 ,  G01N27/416
FI (6件)：
G01N1/00 101A ,  G01N1/00 101K ,  B01J3/00 J ,  B01J19/08 H ,  G01N27/30 B ,  G01N27/46 341M
Fターム (17件)：
2G052AA33 ,  2G052AD32 ,  2G052CA18 ,  2G052GA23 ,  2G052HA17 ,  2G052JA13 ,  4G075AA24 ,  4G075CA25 ,  4G075CA47 ,  4G075CA62 ,  4G075DA02 ,  4G075DA05 ,  4G075EB01 ,  4G075EC21 ,  4G075EE02 ,  4G075FA03 ,  4G075FC15
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM