特許
J-GLOBAL ID：200903005498596379
薄膜トランジスタの薄膜形成用スパッタリングターゲット材
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-261229
公開番号（公開出願番号）：特開平8-100255
出願日： 1994年09月30日
公開日（公表日）： 1996年04月16日
要約：
【要約】【目的】 パーティクル数が少なく、かつ合金成分含有量の経時的バラツキが小さい薄膜の形成が可能な薄膜トランジスタの薄膜形成用スパッタリングターゲット材を提供する。【構成】 スパッタリングターゲット材が、Nb,V,Ti,Zr,Ni,Pt、およびWからなる合金成分のうちの1種または2種以上:1〜20重量%を含有し、残りがAlと不可避不純物からなる組成、並びに平均粒径:30μm以下のAlと上記合金成分との金属間化合物が素地に分散し、かつ素地の平均結晶粒径が30μm以下の再結晶組織を有する。
請求項（抜粋）：
Nb,V,Ti,Zr,Ni,Pt、およびWからなる合金成分のうちの1種または2種以上:1〜20重量%、を含有し、残りがAlと不可避不純物からなる組成、並びに平均粒径:30μm以下のAlと前記合金成分との金属間化合物が素地に分散し、かつ素地の平均結晶粒径が30μm以下の再結晶組織を有することを特徴とする薄膜トランジスタの薄膜形成用スパッタリングターゲット材。
IPC (4件)：
C23C 14/34
, C22C 21/00
, H01L 29/40
, H01L 29/43
