面発光型半導体レーザ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井上一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-268927
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330630
出願日： 1998年09月07日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】レーザ光の偏光方向の制御が安定した面発光型半導体レーザを提供すること。【解決手段】歪み付加部22は金属、基板10は半導体である。よって、歪み付加部22の熱膨張係数は、基板10のそれと比べ、かなり大きい。歪み付加部22がリフローによって基板10上に形成されると、この熱膨張係数の差により、歪み付加部22は、大きな引張歪みを活性層14に生じさせる。これにより、活性層14には、大きな引張応力が作用する。歪み付加部22の平面形状によれば、活性層14に作用する応力は、x軸方向からの方がy軸方向からの方より大きくなる。この結果、活性層14の利得がy軸方向の偏光に対して優位となり、y軸方向に偏光したレーザ光が得られる。

請求項（抜粋）：

活性層を含む共振器が半導体基板上に垂直方向に形成され、前記共振器により前記半導体基板に垂直な方向にレーザ光を出射する面発光型半導体レーザであって、前記共振器の一部に接触して形成され、前記活性層に電流を注入するための電極を有し、前記電極上に、前記活性層に歪みを発生させるための歪み付加部が形成され、前記歪み付加部は、金属によって構成され、かつ異方的平面形状を有する、面発光型半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

面発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-110821 出願人：日本電気株式会社
面発光型半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-034130 出願人：セイコーエプソン株式会社

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