特許
J-GLOBAL ID:200903005503756274
リソグラフィ接触要素
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
古谷 馨 (外2名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-585674
公開番号(公開出願番号):特表2002-531915
出願日: 1999年12月01日
公開日(公表日): 2002年09月24日
要約:
【要約】リソグラフィーの技法による、バネ接触要素を含む、相互接続を形成する方法。一つの態様に於て、方法は基板の第一の部分上にマスク材料を適用し、マスク材料はバネ構造体の第一の部分を画定するであろう開口を有し、開口内に構造材料(例えば導電性材料)を堆積し、且つ開口を構造材料で過剰充填し、構造材料の一部を除去し、且つマスク材料の第一の部分を除去することを含む。この態様に於て、バネ構造体の第一の部分の少なくとも一部分はマスク材料から解放される。本発明の一つの観点に於て、方法はマスク材料層及び構造材料を平面化して、構造材料の一部分を除去することを含む。他の観点に於て、形成されたバネ構造体はポスト部分、ビーム部分及びチップ部分の中の一つを含む。
請求項(抜粋):
電子部品との組合わせに於て、ポスト部品;及びポスト部品に対し接合されたビーム部品を有し、ビーム部品は第一の平面化された表面を有する;接触要素。
IPC (4件):
H01R 33/76 503
, G01R 1/073
, H01L 21/66
, H01R 12/16
FI (4件):
H01R 33/76 503 Z
, G01R 1/073 F
, H01L 21/66 B
, H01R 23/68 303 F
Fターム (29件):
2G011AA15
, 2G011AA21
, 2G011AB01
, 2G011AB06
, 2G011AC14
, 2G011AE01
, 2G011AE22
, 2G011AF07
, 4M106AA01
, 4M106BA01
, 4M106DD03
, 4M106DD09
, 4M106DD10
, 5E023AA06
, 5E023AA22
, 5E023AA29
, 5E023BB18
, 5E023BB24
, 5E023CC27
, 5E023DD26
, 5E023EE03
, 5E023EE32
, 5E023FF20
, 5E023GG17
, 5E023HH06
, 5E023HH26
, 5E024CA15
, 5E024CA30
, 5E024CB04
引用特許:
審査官引用 (2件)
-
リードフレームの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-027198
出願人:ソニー株式会社
-
導電体層形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-048034
出願人:大宇電子株式會社
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