特許
J-GLOBAL ID：200903005523196461

窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法

発明者：
杉本 康宜

杉本 康宜 について

, 
落合 真尚

落合 真尚 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-343092
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179350
出願日： 2002年11月26日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：
【課題】良好なFFPが得られる窒化物半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】n型半導体層、活性層、及びp型半導体層からなる窒化物半導体層を備え、窒化物半導体層は、リッジストライプからなる導波路領域と、導波路領域の端部に共振器面を有する窒化物半導体レーザ素子であって、窒化物半導体層は、導波路領域の近傍に、活性層からの光を吸収可能な光吸収領域を有し、光吸収領域は、半導体層の一部からなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
n型半導体層、活性層、及びp型半導体層からなる窒化物半導体層を備え、該窒化物半導体層は、リッジストライプからなる導波路領域と、該導波路領域の端部に共振器面を有する窒化物半導体レーザ素子であって、 前記窒化物半導体層は、前記導波路領域の近傍に、前記活性層からの光を吸収可能な光吸収領域を有し、 該光吸収領域は、前記半導体層の一部からなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S5/22 ,  H01S5/323
FI (2件)：
H01S5/22 ,  H01S5/323 610
Fターム (17件)：
5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AA81 ,  5F073AA83 ,  5F073AA89 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB23 ,  5F073DA17 ,  5F073DA25 ,  5F073DA31 ,  5F073DA32 ,  5F073DA35 ,  5F073EA18
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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