特許

J-GLOBAL ID：200903049022483409

窒化物レーザ素子構造

発明者： 長濱 慎一 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-095129
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294875
出願日： 1999年04月01日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【目的】高出力でもFFPが良好な単一横モードとなり、歩留も良い新規な素子構造を得る。【構成】活性層上に形成された第1のp型窒化物半導体層の上にストライプ状の開口部を有する絶縁膜を形成することで、次に形成する第2の窒化物半導体層は前記開口部より選択成長していく。すなわちこの窒化物半導体レーザ素子は、エッチングによってリッジを形成する必要がなくなり、窒化物半導体を積層していくだけで所望の屈折率差が得られるようになる。

請求項（抜粋）：

活性層上に形成された第1のp型窒化物半導体層の上にストライプ状の開口部を有する第1の絶縁膜が形成され、さらに前記開口部より第2のp型窒化物半導体層が形成されて、その第2のp型窒化物半導体によりリッジが形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 5/22 610 ,  H01S 5/323

FI (2件)：

H01S 3/18 669 ,  H01S 3/18 673

Fターム (8件)：

5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB10 ,  5F073EA19 ,  5F073EA24

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化物系半導体レーザ装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-035927   出願人：シャープ株式会社
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-077186   出願人：三菱化学株式会社