特許

J-GLOBAL ID：200903005539164837

電子部品用基材の製造方法及びそれに用いるレジスト除去剤

発明者： 越山 淳 ,  島井 太 ,  福島 偉仁
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-364210
公開番号（公開出願番号）：特開2003-248328
出願日： 1998年12月02日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】 好適な性能のレジスト除去剤を用い、優れた性能をもつ電子部品用基材を得るための製造方法を提供する。【解決手段】 基板表面に放射線感応性レジスト膜形成用塗布液を塗布し、乾燥後、基板の少なくとも周辺部、縁辺部及び裏面部に付着した不要のレジスト膜をレジスト除去剤を用いて溶解除去することにより電子部品用基材を製造するに当り、前記レジスト除去剤として、20°Cにおける表面張力が35dyne/cmよりも大きく60dyne/cmよりも小さい範囲にあり、放射線感応性レジスト膜に対し溶解性を示す有機溶剤を単独で用いることにより製造する。

請求項（抜粋）：

基板表面に放射線感応性レジスト膜形成用塗布液を塗布し、乾燥後、基板の少なくとも周辺部、縁辺部及び裏面部に付着した不要のレジスト膜をレジスト除去剤を用いて溶解除去することにより電子部品用基材を製造するに当り、前記レジスト除去剤として、20°Cにおける表面張力が35dyne/cmよりも大きく60dyne/cmよりも小さい範囲にあり、放射線感応性レジスト膜に対し溶解性を示す有機溶剤を単独で用いることを特徴とする電子部品用基材の製造方法。

IPC (2件)：

G03F 7/38 501 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 7/38 501 ,  H01L 21/30 572 B

Fターム (4件)：

2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096DA04 ,  5F046MA02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体製造工程におけるフォトレジスト洗浄用シンナー組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-164248   出願人：三星電子株式会社
• 被膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-224925   出願人：東京応化工業株式会社
• 基板端縁部被膜の除去方法及び除去装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-300943   出願人：東京応化工業株式会社