特許
J-GLOBAL ID：200903005590609185

多層配線を有する半導体装置及びその製造方法

発明者：
谷口 敏雄

谷口 敏雄 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-207031
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078520
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 下層配線として高融点金属を使用し、上層配線形成後の熱処理においても上層配線と下層配線との接触抵抗の増大を抑制することができる多層配線形成技術を提供する。【構成】 絶縁表面2上に形成され、高融点金属T,Wを主成分として含む第1の配線3,4,5と、前記第1の配線を覆うように形成され、所定の領域にコンタクトホールが設けられた層間絶縁膜6と、前記第1の配線の上面のうち前記コンタクトホールが設けられた領域で前記第1の配線に電気的に接続するように形成され、Alを主成分として含む第2の配線9と、前記第1の配線と前記第2の配線とが電気的に接続される界面に配置され、前記第1の配線の主成分である高融点金属及びAlの双方と異なり、かつ双方と実質的に反応しない材料からなるバリア層7とを有する。
請求項（抜粋）：
絶縁表面上に形成され、高融点金属を主成分として含む第1の配線と、前記第1の配線を覆うように形成され、所定の領域にコンタクトホールが設けられた層間絶縁膜と、前記第1の配線の上面のうち前記コンタクトホールが設けられた領域で前記第1の配線に電気的に接続するように形成され、Alを主成分として含む第2の配線と、前記第1の配線と前記第2の配線とが電気的に接続される界面に配置され、前記第1の配線の主成分である高融点金属及びAlの双方と異なり、かつ双方と実質的に反応しない材料からなるバリア層とを有する半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205
FI (2件)：
H01L 21/90 B ,  H01L 21/88 R
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (13件)
  • 半導体装置の配線層接続構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-184955   出願人：三菱電機株式会社
  • 特開平4-259242
  • 配線形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-260464   出願人：ソニー株式会社
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