特許

J-GLOBAL ID：200903005652249741

光導波路チップの製造方法

発明者： 澤井 巳喜夫 ,  辻 理
出願人/特許権者： 株式会社サムコインターナショナル研究所
代理人 (1件)： 小林 良平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-086268
公開番号（公開出願番号）：特開平8-262260
出願日： 1995年03月17日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 短時間で高品質の光導波路チップを製造できるようにする。【構成】 コア層又はクラッド層の堆積工程において、以下のようにする。まず、反応室11内に接地上部電極12及び下部電極13を略平行に設け、下部電極13上に基板18を載置する。そして、基板18の上表面よりも高い位置で基板の周囲を囲う接地第3電極16を設ける。屈折率制御用のフッ素系ガスを必要に応じて添加したシリコンアルコキシド系を含む有機ケイ素化合物原料を反応室11内に導入し、下部電極13に高周波電力を投入することにより、原料ガスのプラズマを生成し、基板18表面に酸化シリコン層を堆積する。

請求項（抜粋）：

基板上にコア層を堆積し、エッチングにより光導波路パターンを形成した後、クラッド層を堆積する工程を含む光導波路チップの製造方法において、コア層又はクラッド層の堆積工程がa)反応室内に接地上部電極及び下部電極を略平行に設け、下部電極上に基板を載置し、基板の上表面よりも高い位置で基板の周囲を囲う接地第3電極を設け、b)屈折率制御用のフッ素系ガスを必要に応じて添加したシリコンアルコキシド系ガスを含む原料ガスを反応室内に導入し、c)下部電極に高周波電力を投入することにより原料ガスのプラズマを生成し、基板表面に酸化シリコン層を堆積する、工程を含むことを特徴とする光導波路チップの製造方法。

IPC (2件)：

G02B 6/28 ,  C23C 16/50

FI (2件)：

G02B 6/28 Z ,  C23C 16/50

引用特許：

審査官引用 (4件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-157469   出願人：東京エレクトロン山梨株式会社
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-140029   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
• 光導波路の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-136352   出願人：日本電気株式会社
• 特開平3-220506