特許
J-GLOBAL ID：200903005705472782
スパッタリング装置のマグネトロンカソード
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 利之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-190721
公開番号（公開出願番号）：特開平11-021666
出願日： 1997年07月02日
公開日（公表日）： 1999年01月26日
要約：
【要約】【課題】 磁石組立体の往復運動をガイドするためのガイドレールのガイド面とターゲット表面との距離を、往復運動の方向におけるガイドレール位置に応じて変化させて、往復運動方向におけるプラズマ密度分布を均一化し、膜厚分布の均一性を改善する。【解決手段】 スライドレール52のガイド面53の傾斜領域70では、矢印96の方向の両端部に近づくにつれて、ガイド面53とターゲット32の表面との距離が小さくなっていく。磁石組立体36がガイド面53に沿って右に移動すると、磁石組立体36の右側部分が左側部分よりもターゲット32の表面に近づく。その結果、一番右側に位置する磁石ユニット48はターゲット32の表面に近づき、ターゲット32の右端付近での磁場強度が強くなる。これにより、ターゲットシールドに近づいたことによる電子流出の影響を相殺でき、膜厚の均一性が向上する。
請求項（抜粋）：
ターゲットの裏側に少なくとも1個の細長い矩形の磁石ユニットを配置して、この磁石ユニットをその長手方向に垂直な方向に往復運動させるようにした、スパッタリング装置のマグネトロンカソードにおいて、前記磁石ユニットと前記ターゲットの表面との距離が、前記往復運動の方向における磁石ユニットの位置に応じて変化することを特徴とするマグネトロンカソード。
引用特許：
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