特許
J-GLOBAL ID：200903081949424745
マグネトロンスパッタリング源及びその操作方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
渡邉 勇 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-041122
公開番号（公開出願番号）：特開平10-219443
出願日： 1998年02月06日
公開日（公表日）： 1998年08月18日
要約：
【要約】【課題】 均一な蒸着膜を形成することのできるスパッタリング装置及び方法を提供する。【解決手段】 基板10の上に材料を堆積させるマグネトロンスパッタリング源20は、ターゲット22と、磁石アセンブリ24と、駆動アセンブリ30とを備えている。ターゲット22からは、材料がスパッタリングされる。磁石アセンブリ24は、ターゲット22に隣接して設けられていて、ターゲット表面にプラズマ50を閉じ込める。駆動アセンブリ30は、ターゲット22に対して相対的に、磁石アセンブリ24を走査させる。スパッタリング源20は、更に、磁石アセンブリがターゲットに対して相対的に走査される際に、実質的に一定のプラズマ特性を維持するための陽極を備える。陽極は、磁石アセンブリが追従する走査経路の両端部又は該両端部付近に位置する可変電圧型の固定電極として、ターゲットと基板との間に位置する隔置された陽極線として、又は、磁石アセンブリで走査される可動陽極として、構成することができる。
請求項（抜粋）：
基板上に材料を堆積させるためのマグネトロンスパッタリング源であって、前記基板から隔てて配置されてそこから前記材料がスパッタリングされる表面を有するターゲットと、前記ターゲットの近傍に設けられ、前記ターゲットの表面にプラズマを閉じ込めるための磁石アセンブリと、該磁石アセンブリを前記ターゲットに対して相対的に走査させるための駆動アセンブリと、電圧源に接続される陽極を有し、前記磁石アセンブリが前記ターゲットに対して相対的に走査される際に、実質的に一定のプラズマ特性を維持する陽極アセンブリとを有することを特徴とするマグネトロンスパッタリング源。
引用特許：
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