特許
J-GLOBAL ID：200903005714323650
電子放出素子、電子源及び画像形成装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-116594
公開番号（公開出願番号）：特開2000-030605
出願日： 1999年04月23日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 安定な電子放出特性を有し、電子放出の均一化を図った電子放出素子を提供する。【解決手段】 基板1上に形成された対向する一対の素子電極2,3と、電子放出部5を含む薄膜4とを有する電子放出素子の製造方法において、基板1の表面の電位を裏面の電位より高くなるよう電圧を印加する。その際、前記基板1の表面と裏面との間の電界強度を20kV/cm以下とする。又、前記電圧印加時に基板1を加熱する。
請求項（抜粋）：
対向する第一の主面と第二の主面とを有するナトリウム含有基板を用意する工程と、前記第一の主面上に導電性膜を形成する工程と、前記第一の主面の電位が前記第二の主面の電位と異なるような電界を印加する電界印加工程と、前記電界印加工程の後に前記導電性膜に通電する通電工程とを含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01J 9/02
, H01J 1/316
, H01J 31/12
H01J 9/02 E
, H01J 1/30 E
, H01J 31/12 C
