特許
J-GLOBAL ID：200903004788900024

窒化ガリウム系半導体素子およびその製造方法

発明者：
鈴 木 伸 洋

鈴 木 伸 洋 について

, 
菅 原 秀 人

菅 原 秀 人 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-190968
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040847
出願日： 1997年07月16日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 シリコン基板などの各種基板上に、高品質かつ膜厚の厚い窒化ガリウム系半導体層を積層してなる半導体素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 シリコン基板上に低温成長バッファ層を介してインジウムを含んだ窒化ガリウム系半導体の緩衝層を堆積することにより、その上に高品質の窒化ガリウム系半導体層を厚く成長することができる。低温バッファ層は、条件に応じて設けなくて良い場合がある。また、緩衝層をブラッグ反射鏡とすれば、高効率の発光素子を実現できる。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の上に積層された少なくともインジウムを含む窒化ガリウム系半導体緩衝層と、前記緩衝層の上に積層された窒化ガリウム系半導体層と、を備え、前記基板と前記窒化ガリウム系半導体層との熱膨張率の差に起因する応力が前記緩衝層により緩和されるようにしたものとして構成されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (10件)
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