非破壊検査方法および装置ならびに半導体チップ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-081310
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313859
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイスの断線欠陥を含む抵抗増大欠陥及び短絡欠陥を含むリーク欠陥を効率的に検出する検査方法を提供する。【解決手段】導電体600で両端を短絡したp-n接合1にレーザビーム2を照射した際に発生するOBIC電流6が誘起する磁束11をSQUIID磁束計12で検出することで、短絡欠陥を含むリーク欠陥8や断線欠陥を含む抵抗増大欠陥28の非破壊且つ非接触の検査が可能になる。OBIC電流6の電流経路として、チップ内部での経路やウェハ基板とウェハ基板上面に付着した導電膜などを用いることで、前工程途中での検査が可能になり、チップ内部での経路や実装回路基板上の配線などを用いることで、実装状態での検査が可能になる。

請求項（抜粋）：

波長が300nm以上、且つ1200nm以下の範囲内にあるレーザ光を発生させ、所定のビーム径に集光したレーザビームを生成する第1ステップと、検査対象である製造工程途中のウェハ状態及び実装状態を含む少なくとも基板中にp-n接合が形成された半導体チップの前記p-n接合及びその近傍に前記レーザビームが照射されたときにOBIC(Optical Beam Induced Current)現象により発生するOBIC電流を流すための電流経路を所定の電気的接続手段により構成する第2ステップと、前記レーザビームを照射しながら前記半導体チップの所定領域を走査する第3ステップと、この第3ステップで走査する各照射点において前記レーザビームにより発生する前記OBIC電流が誘起する磁束を磁束検出手段により検出する第4ステップと、この第4ステップで検出した前記磁束に基づいて前記半導体チップの当該照射点を含む前記電流経路における断線欠陥を含む抵抗増大欠陥又は短絡欠陥を含むリーク欠陥の有無を判定する第5ステップと、を含むことを特徴とする、インラインモニタ、良・不良チップ選別、不良解析、故障解析を含む、非破壊検査方法。

IPC (7件)：

H01L 21/66 , G01N 27/00 , G01N 27/72 ZAA , G01R 31/02 , G01R 31/302 , G01R 33/02 , G01R 33/035 ZAA

FI (8件)：

H01L 21/66 C , H01L 21/66 B , G01N 27/00 Z , G01N 27/72 ZAA , G01R 31/02 , G01R 33/02 K , G01R 33/035 ZAA , G01R 31/28 L

Fターム (40件)：

2G014AA02 , 2G014AA03 , 2G014AB59 , 2G014AC19 , 2G017AA04 , 2G017AD32 , 2G017BA00 , 2G053AA11 , 2G053AB01 , 2G053AB14 , 2G053BA00 , 2G053CA10 , 2G053CB29 , 2G053DA01 , 2G053DB19 , 2G060AA09 , 2G060AE01 , 2G060AF01 , 2G060AF20 , 2G060EA07 , 2G060EB09 , 2G060KA16 , 2G132AD15 , 2G132AF14 , 2G132AF16 , 2G132AK07 , 2G132AL12 , 4M106AA01 , 4M106AA02 , 4M106AA07 , 4M106AB06 , 4M106AB12 , 4M106BA01 , 4M106BA05 , 4M106BA14 , 4M106CA16 , 4M106CA17 , 4M106DH11 , 4M106DH32 , 4M106DJ20

引用特許：

審査官引用 (3件)

故障部位検出方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-190160 出願人：株式会社東芝
非破壊検査装置および非破壊検査方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-037077 出願人：日本電気株式会社
非破壊検査用半導体デバイスおよびその製造方法ならびに非破壊検査方法および非破壊検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-067744 出願人：日本電気株式会社

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