特許
J-GLOBAL ID：200903005761478181

減衰型位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその製造装置

発明者：
中江 彰宏

中江 彰宏 について

, 
宮崎 順二

宮崎 順二 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-000166
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186073
出願日： 1995年01月05日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：
【要約】【目的】 減衰型位相シフトマスクにおいて、正規の露光領域の周囲に形成される露光光の発生を防止し、移動しながら連続して露光を行なう場合の隣接する露光領域への露光を防止するパターンを有する減衰型位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその製造装置を提供する。【構成】 減衰型位相シフトパターン領域10と、この減衰型位相シフトパターン領域10を包囲するように補助パターン領域12を有している減衰型位相シフトパターン領域10は、透明ガラス基板2が露出する第1光透過部4と、位相角が180°、透過率が40%以下の第2光透過部6とを有している。補助パターン領域12は、第2光透過部6よりも小さい透過率を有する第3光透過部8を有している。
請求項（抜粋）：
透明基板の主表面の所定の領域に形成された減衰型位相シフトパターン領域と、前記減衰型位相シフトパターン領域を包囲するように、前記透明基板の主表面に形成された補助パターン領域と、を備え、前記減衰型位相シフトパターン領域は、前記透明基板の主表面が露出する第1光透過部と、前記透明基板の主表面の上に所定厚さの第1パターン形成部材を有し、前記第1光透過部を透過する露光光との位相差が180°であり、かつ、前記露光光の透過率が40%以下である第2光透過部と、を含み、前記補助パターンは、前記透明基板の主表面の上に所定厚さの第2パターン形成部材を有し、かつ、前記露光光の透過率が前記第2光透過部の透過率よりも小さい第3光透過部を含む、減衰型位相シフトマスク。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/08
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528
引用特許：
審査官引用 (4件)
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