特許

J-GLOBAL ID：200903005819856238

窒化物半導体の製造方法

発明者： 澤木 宣彦 ,  本田 善央 ,  小出 典克
出願人/特許権者： 澤木 宣彦 ,  シャープ株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-191227
公開番号（公開出願番号）：特開2003-008061
出願日： 2001年06月25日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】 高品質な窒化物半導体を提供する。【解決手段】 窒化物半導体の製造方法は、表面1f近傍に周期律表第IIIB族元素を含むシリコン基板1を準備する工程と、シリコン基板1の表面にガリウムと窒素とを供給してガリウムを含有する酸化物半導体としての第1のクラッド層2をシリコン基板1の表面1f上に成長させる工程とを備える。シリコン基板1はn型の不純物を含む。シリコン基板1の表面1f近傍にドープされた周期律表第3B族元素の濃度は1017cm-3以上1020cm-3以下である。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面近傍に周期律表第IIIB族元素を含むシリコン基板を準備する工程と、前記シリコン基板の表面上にガリウムと窒素とを供給してガリウムを含有する窒化物半導体を前記シリコン基板の表面上に形成する工程とを備えた、窒化物半導体の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205

Fターム (27件)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA71 ,  5F041CA73 ,  5F041CA83 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045AF16 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045EB15

引用特許：

審査官引用 (1件)

• フォトダイオードおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-345162   出願人：富士電機株式会社