半導体製造工程の硫酸ボイルステーション

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-073462
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079369
出願日： 1997年03月26日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】【課題】半導体製造工程でフォトレジストのストリッピングや有機物の洗浄に使用する半導体製造工程の硫酸ボイルステーションで工程の中断時間を短縮して工程効率を高め、かつ排出部設備の腐蝕を軽減し設備の劣化の防止を可能とする。【解決手段】工程液槽、前記の工程液槽に化学物質を供給する化学物質供給ライン、前記の工程液槽から化学物質混合液を排出する化学物質混合液の排出部とが基本的に備える半導体製造工程の硫酸ボイルステーションが、化学物質混合液の温度を下げるための冷却機を更に備えられてなるか、又は排出部から排出される前記混合液の温度を下げるための冷却機が更に備えている。工程液槽に過酸化水素水を補充しながらも常に工程に必要な温度に保持して工程効率を高め、また排出する混合液の温度を下げて排出部設備の腐蝕を軽減し設備の劣化を抑制し、かつ漏水による危険を減らすことができる。

請求項（抜粋）：

工程液槽、前記工程液槽に化学物質を供給する化学物質供給ライン、前記工程液槽から化学物質混合液を排出する化学物質混合液の排出部を基本的に備えられてなる半導体製造工程の硫酸ボイルステーションにおいて、前記化学物質混合液の温度を低めるための冷却機を更に備えられてなることを特徴とする半導体製造工程の硫酸ボイルステーション。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/304 , B08B 3/08 , H01L 21/027

FI (4件)：

H01L 21/304 341 S , H01L 21/304 341 T , B08B 3/08 Z , H01L 21/30 572 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭62-076624
洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-350950 出願人：ソニー株式会社
薬品処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-171936 出願人：富士通株式会社

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