特許
J-GLOBAL ID：200903005848821907
III族元素窒化物結晶基板およびIII族元素窒化物半導体デバイスの製造方法、それにより得られたIII族元素窒化物結晶基板ならびにIII族元素窒化物半導体デバイス
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-304937
公開番号（公開出願番号）：特開2006-036622
出願日： 2004年10月19日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：
【課題】 液相成長させたIII族元素窒化物結晶基板において、不純物の拡散を防止する技術を提供する。 【解決手段】 まず、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を含む融解液(フラックス)中において、窒素含有ガスの窒素とIII族元素とを反応させて結晶化させ、III族元素窒化物結晶基板13を形成する。そして、前記基板13に熱処理を施すことにより、前記基板13中の不純物を無機化合物化する(図において15で示す部分)。このように熱処理を施すことにより、基板13中に含まれているおそれがあるアルカリ金属やアルカリ土類金属等の不純物が、基板13から拡散することを防止できる。そのため、本発明の製造方法によれば、安定したデバイス作製が実現できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
III族元素窒化物結晶基板の製造方法であって、下記(a)の基板形成工程および(b)の熱処理工程を有する製造方法。
(a) アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を含む融解液(フラックス)中において、窒素含有ガスの窒素とIII族元素とを反応させて結晶化させ、III族元素窒化物結晶基板を形成する基板形成工程。
(b) 前記(a)の基板形成工程により得られた基板中に存在する不純物を熱処理により無機化合物化する熱処理工程。
IPC (7件)：
C30B 29/38
, C30B 33/02
, H01L 21/208
, H01S 5/323
, H01L 29/812
, H01L 29/778
, H01L 21/338
C30B29/38 D
, C30B33/02
, H01L21/208 Z
, H01S5/323 610
, H01L29/80 H
4G077AA02
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077CD05
, 4G077EC08
, 4G077ED06
, 4G077FE02
, 4G077FE03
, 4G077FE05
, 4G077FE09
, 4G077FJ01
, 4G077HA12
, 4G077MB12
, 5F053AA50
, 5F053BB04
, 5F053BB08
, 5F053DD20
, 5F053HH05
, 5F053PP03
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ04
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GQ01
, 5F102HC01
, 5F173AH22
, 5F173AP03
, 5F173AP62
, 5F173AR81
