III族窒化物結晶成長方法およびIII族窒化物結晶成長装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：植本雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-351371
公開番号（公開出願番号）：特開2003-238296
出願日： 2002年12月03日
公開日（公表日）： 2003年08月27日
要約：

【要約】【課題】アルカリ金属の蒸発を抑制しつつ、V族原料のより一層の継続的安定供給を行う。【解決手段】反応容器101内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液103を形成し、該混合融液103と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物110を結晶成長させる場合に、反応容器101内の気体雰囲気を、少なくとも窒素を含む物質と不活性気体との混合気体とする。

請求項（抜粋）：

反応容器内で、アルカリ金属と少なくともIII族金属を含む物質とが混合融液を形成し、該混合融液と少なくとも窒素を含む物質とから、III族金属と窒素とから構成されるIII族窒化物を結晶成長させるIII族窒化物結晶成長方法であって、反応容器内の気体雰囲気を、少なくとも窒素を含む物質と不活性気体との混合気体とすることを特徴とするIII族窒化物結晶成長方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 , C30B 11/12 , H01L 33/00 , H01S 5/323 610

FI (4件)：

C30B 29/38 D , C30B 11/12 , H01L 33/00 C , H01S 5/323 610

Fターム (23件)：

4G077AA02 , 4G077BE15 , 4G077CC06 , 4G077EA04 , 4G077EA06 , 4G077EG22 , 4G077EG25 , 5F041AA24 , 5F041AA40 , 5F041AA42 , 5F041AA44 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA63 , 5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073BA05 , 5F073BA07 , 5F073CA07 , 5F073CB02 , 5F073DA07 , 5F073EA28

引用特許：

出願人引用 (5件)

窒化物半導体素子及び窒化物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-050859 出願人：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-056047 出願人：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム単結晶の育成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-136415 出願人：科学技術振興事業団

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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