特許
J-GLOBAL ID：200903005850751185
六方晶系結晶構造を有する半導体レーザー素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-150906
公開番号（公開出願番号）：特開平9-331109
出願日： 1996年06月12日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】 六方晶系結晶構造を有する半導体レーザー素子の端面はその平坦性が良好でなく、レーザー発振のための共振器反射面としては反射損失が大きく、問題があった。【解決手段】 異方性エッチング特性を有するドライエッチング装置を用いて行う、六方晶系結晶構造を有する半導体レーザー素子の製造方法において、エッチング加工すべき該レーザー素子を、該異方性エッチング特性のエッチング進行方向と該レーザー素子の端面が平行となるように配置し、該レーザー素子の端面に対する法線を回転軸として該レーザー素子を回転させながら該端面をエッチング加工する。
請求項（抜粋）：
異方性エッチング特性を有するドライエッチング装置を用いて行う、六方晶系結晶構造を有する半導体レーザー素子の製造方法において、エッチング加工すべき該レーザー素子を、エッチング進行方向と該レーザー素子のエッチングすべき端面とが平行となるように配置し、該端面に対する法線を回転軸として該レーザー素子を回転させながら該端面をエッチング加工することを特徴とする六方晶系結晶構造を有する半導体レーザー素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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