CMP後洗浄用の改善された酸性化学剤

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (12件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 蔵田昌俊 , 峰隆司 , 福原淑弘 , 白根俊郎 , 村松貞男 , 野河信久 , 砂川克 , 橋本良郎 , 風間鉄也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-501361
公開番号（公開出願番号）：特表2007-526647
出願日： 2005年01月24日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

本開示は、半導体装置の製造中における化学的機械的平坦化(CMP)後の半導体ウエハの洗浄を検討する。金属特に銅の相互接続を含有するウエハのCMP後洗浄のための酸性化学剤が開示されている。残存スラリー粒子、特に銅または他の金属粒子は、金属を有意にエッチングすることなく、表面に付着物を残すことなく、または有意の有機(炭素のような)汚染質を表面に与えることなく、しかも金属を酸化および腐食から保護しながら、表面から除去される。さらに、溶液中の金属イオンを錯化し、誘電体からの金属の除去を促進し、ウエハ上への再付着を防止するために、少なくとも1種の強力なキレート化剤が存在する。酸性化学剤を用いると、CMP後に使用される洗浄溶液のpHをウエハ表面で使用された最後のスラリーのそれとマッチさせることができる。

請求項（抜粋）：

半導体ワークピースを洗浄するための組成物であって、クエン酸アンモニウム、シュウ酸アンモニウム、アスパラギン酸、安息香酸、クエン酸、システイン、グリシン、グルコン酸、グルタミン酸、ヒスチジン、マレイン酸、シュウ酸、プロピオン酸、サリチル酸、酒石酸およびそれらの混合物からなる群の中から選ばれる洗浄剤、およびアスコルビン酸、ベンゾトリアゾール、カフェー酸、ケイ皮酸、システイン、グルコース、イミダゾール、メルカプトチアゾリン、メルカプトエタノール、メルカプトプロピオン酸、メルカプトベンゾチアゾール、メルカプトメチルイミダゾール、タンニン酸、チオグリセロール、チオサリチル酸、トリアゾール、バニリン、バニリン酸およびそれらの混合物からなる群の中からから選ばれる腐食防止化合物を含む組成物。

IPC (11件)：

H01L 21/304 , C11D 7/26 , C11D 7/32 , C11D 7/34 , C11D 3/20 , C11D 3/33 , C11D 3/34 , C11D 3/28 , C11D 17/00 , H01L 23/52 , H01L 21/320

FI (12件)：

H01L21/304 647Z , H01L21/304 622Q , C11D7/26 , C11D7/32 , C11D7/34 , C11D3/20 , C11D3/33 , C11D3/34 , C11D3/28 , C11D17/00 , H01L21/88 M , H01L21/88 R

Fターム (37件)：

4H003DA15 , 4H003EB07 , 4H003EB08 , 4H003EB13 , 4H003EB20 , 4H003EB21 , 5F033HH11 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033MM01 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033QQ20 , 5F033QQ48 , 5F033QQ91 , 5F033XX21 , 5F157AA21 , 5F157AA51 , 5F157AA63 , 5F157AA96 , 5F157BC07 , 5F157BC13 , 5F157BC54 , 5F157BD02 , 5F157BD09 , 5F157BE12 , 5F157BF12 , 5F157BF97 , 5F157DB03 , 5F157DB18 , 5F157DB45 , 5F157DB51 , 5F157DB57

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体プロセス用酸の精製法
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-526953 出願人：アシュランドインコーポレーテッド
基板洗浄剤
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-195623 出願人：和光純薬工業株式会社
洗浄剤組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-181801 出願人：花王株式会社

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