特許
J-GLOBAL ID：200903005887026200

固体撮像装置

発明者：
大槻 浩久

大槻 浩久 について

, 
土井 博之

土井 博之 について

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勝野 元成

勝野 元成 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (3件)： 中島 司朗 ,  松村 修治 ,  小林 国人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-139225
公開番号（公開出願番号）：特開2009-289872
出願日： 2008年05月28日
公開日（公表日）： 2009年12月10日
要約：
【課題】基板の基準電位の安定化を図ることにより、画素セルのトランジスタの高速・安定な動作を確保しながら、入射可視光の波長に関係なく、シェーディングの発生を抑制することができる固体撮像装置を提供する。【解決手段】固体撮像装置の撮像領域21では、複数の画素セル10r1、10g1〜10g3、10b1〜10b2・・・が形成されている。この内、カラーフィルタの透過ピーク波長が最も長い赤色の画素セル10r1と、透過ピーク波長が最も短い青色の画素セル10b1〜10b2とを抽出してみるとき、基板コンタクト101〜104は、青色の画素セル10b1〜10b2のフォトダイオード11b1〜11b2の近傍領域よりも、赤色の画素セル10r1のフォトダイオード11r1の近傍領域で高密度な分布状態を有する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体基板に対し、互いに間隔をおいて二次元配置され、各々が光電変換機能を有する複数のフォトダイオードと、 前記複数のフォトダイオードの各々の上に形成され、前記フォトダイオードごとに対応して、互いにピーク波長の異なる光を透過する複数種のカラーフィルタと、 前記複数のフォトダイオードの一部あるいは全部の近傍に形成され、前記半導体基板に基準電圧を印加する複数の基板コンタクトとを備え、 前記複数のフォトダイオードの中から、その上に形成された前記カラーフィルタの透過ピーク波長が最も長い第1グループと、透過ピーク波長が最も短い第2グループとにおいて、 前記複数の基板コンタクトは、前記第2グループに属するフォトダイオードの近傍よりも、前記第1グループに属するフォトダイオードの近傍で高密度に分布している ことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (4件)：
H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/335 ,  H04N 9/07
FI (5件)：
H01L27/14 A ,  H01L27/14 D ,  H04N5/335 U ,  H04N5/335 E ,  H04N9/07 A
Fターム (23件)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118CA18 ,  4M118CA32 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118GC07 ,  4M118GC14 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CX35 ,  5C024GX01 ,  5C024GY31 ,  5C065BB22 ,  5C065CC01 ,  5C065DD15 ,  5C065EE03 ,  5C065EE06
引用特許：
出願人引用 (6件)
全件表示
審査官引用 (1件)

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