特許
J-GLOBAL ID：200903005896279910

窒化物半導体素子

発明者：
丸居 宏充

丸居 宏充 について

, 
谷沢 公二

谷沢 公二 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-320954
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179260
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 多重量子井戸構造の活性層を用い、種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とするため、順方向電圧の低い窒化物半導体を提供する。【解決手段】 基板上に少なくともn型窒化物半導体層、活性層、p型窒化物半導体層を順に有する窒化物半導体素子において、前記活性層が井戸層にInを有する窒化物半導体を含んで成る多重量子井戸構造から成り、前記井戸層又は障壁層の単一層中にn型不純物を変調ドープすることで、素子特性を悪化させることなく順方向電圧を低減することが可能な窒化物半導体素子が得られる。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくともn型窒化物半導体層、活性層及びp型窒化物半導体層を順に有する窒化物半導体素子において、前記活性層が井戸層にInを有する窒化物半導体を含んでなる多重量子井戸構造からなり、前記井戸層もしくは障壁層の単一層中にn型不純物が変調ドープされていることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205
Fターム (25件)：
5F041AA03 ,  5F041AA24 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB05 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA62 ,  5F045DC57 ,  5F045EB15
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 窒化物半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-273948   出願人：日亜化学工業株式会社
  • 半導体レーザ素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-243681   出願人：株式会社日立製作所
審査官引用 (2件)
  • 窒化物半導体素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-273948   出願人：日亜化学工業株式会社
  • 半導体レーザ素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-243681   出願人：株式会社日立製作所
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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