半導体レーザ素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-243681
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111558
出願日： 1994年10月07日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、青緑色から紫色に相当する短波長半導体レーザを構成するGaInN/AlGaN材料系において、低閾値でかつ高効率のレーザ発振を可能とさせることである。【構成】サファイア基板上1に、GaInN/AlGaN材料からなる歪多重量子井戸構造12を作製する。このとき、量子障壁層へのp型変調ドープでは量子井戸層との境界領域両側1nmにはドーピングせず、量子障壁層中央部と光分離閉じ込め層にはp型不純物を変調ドープして5×1018/cm3のキャリア濃度を発生させる。素子は劈開してバー状に切り出し、共振器の前面と後面に高反射膜コーティングを施す。【効果】本発明により、ホールの有効質量が重い材料系において、MQW活性層に対するキャリア注入効率を改善して発光効率を向上させることができた。

請求項（抜粋）：

基板上に設けた禁制帯幅の大きな光導波層とそれらに挾まれた禁制帯幅の小さな発光活性層を有した異種二重接合構造において、該発光活性層が量子障壁層と量子井戸層により形成した単一量子井戸構造であるか又は量子障壁層と量子井戸層を周期的に繰り返した多重量子井戸構造であり、該量子障壁層に対してp型或はn型を示す不純物をドープすることにより形成した不純物準位を介して、該量子障壁層から該量子井戸層へキャリアが注入されることによりアシストされて、該量子井戸層におけるキャリア密度が閾密度に到りレーザ発振を引き起こすことを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-219938 出願人：株式会社東芝
特開平4-152583
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-229729 出願人：株式会社日立製作所

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